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GT推HVPE体系加快磊晶成长 本钱开销可望削减25%

2018-09-02 20:14

  GT推HVPE体系加快磊晶成长 本钱开销可望削减25%

  LED价格下滑趋势不变,LED晶片厂不断在制程与技能方面进行改进以下降本钱,半导体设备厂极特先进科技(GT ADVANCED TECHNOLOGIES)开发替代MOCVD中nGaN和uGaN成长制程的HVPE体系,未来LED晶片厂能够透过添加HVPE体系的方法加快磊晶成长,相较以添购MOCVD方法扩增产能,辅以HVPE体系扩增产能可望为LED晶片厂最高省下25%的本钱开销。

  GT已在2013年5月宣布使用Soitec Phoenix Labs(Soitec旗下子公司)独家具有的HVPE专利技能,HVPE技能的特点是成长速率快,能够以较低的本钱快速成长nGaN和uGaN,HVPE所用的前驱体(GaCl3)也比MOCVD所需要用的前驱体TMG,廉价10倍,加上HVPE体系在nGaN和uGaN的产出速度较MOCVD快,因而,LED晶片厂未来能够透过添加HVPE体系方法扩增产能。

  

GT推HVPE体系加快磊晶成长 本钱开销可望削减25%

  GT举例说明指出,一台HVPE的产能相当于2台MOCVD,也就是关于一个现已具有12台MOCVD的LED晶片厂来说,厂商若期望将产能添加一倍,已往就是采纳再度置办12台MOCVD方法到达方针,但现在能够在不添增MOCVD机台下,进而置办6台HVPE体系,以HVPE体系替代nGaN和uGaN的成长制程,一起能够让MOCVD机台专心于其他layer的成长到达产能扩增的方针,这样一来,凯时娱乐网址,LED晶片厂置办设备本钱将可望显着下降。

  

GT推HVPE体系加快磊晶成长 本钱开销可望削减25%

  GT指出,HVPE体系可完成蓝宝石基GaN的规模化、低本钱出产,估量HVPE体系可下降超越80%的前驱体本钱,一起进步贵重MOCVD制程的产值,最高能够为LED晶片厂下降25%本钱开销,HVPE体系估计将于2014年下半年上市。

  

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