www.kb88.com
L 公司公告
Listing
联系我们 | contacts us
电话:
邮箱:
QQ:
地址:觊时国际娱乐制造公司

您现在的位置:主页 > 公司公告 >

LED照明的兴起(二):看日企如何将LED技能发挥到极致www.kb88.c

2018-09-06 19:07

  LED照明的兴起(二):看日企如何将LED技能发挥到极致

  此外,也有想运用蓝宝石基板进步发光功率和支撑大电流密度的研讨开发(图8(b~d))。这些开发大多都是在基板上略微施加一些特别加工,现在还没构成干流技能,不过为处理存在的课题,正在加快开发。新基板将在与蓝宝石基板的竞赛中,加快进步功能。

  运用Si基板大幅减少本钱

  在新基板技能中,有望(2)大幅下降制作本钱的,是在Si基板上成长GaN晶体的GaN on Si技能。该技能最近俄然开端遭到重视。

  GaN on Si技能的最大特点是,制作设备可运用一般的半导体用设备。这样就有望大幅减少包含封装工序在内的制作本钱。也在推动GaN on Si技能研制的名古屋大学的天野猜测,选用GaN on Si技能可将LED封装价格降至1/4。

  GaN on Si技能还有其他长处。比方经过选用半导体制作技能,可进步加工功率,能与其他电路集成等,有望催生新的附加值。

  别的,GaN on Si并不是新技能。该技能尽管备受等待,但直到最近才开端推动实用化,这是由于一向未能处理技能课题(图9)。例如,由于GaN与Si的晶格常数之差和热膨胀系数之差较大,不容易在Si基板上成长高品质GaN晶体。由于热膨胀系数不同,存在晶体破损和硅晶圆曲翘的课题。制作的LED发光功率也比较低,很难追上功能抢先的蓝宝石基板白色LED。别的还存在作为LED基板来说最丧命的课题,即Si会吸收可见光。

  

  

图9:是GaNonSi(001)仍是GaNonSi(111)

  GaN on Si基板技能的两个选项。www.kb88.com,Si(001)基板一般难以成长GaN晶体,而挑选Si(111)基板的话,现有制作设备的加工功率会下降。东芝收买了选用Si(111)的美国危险公司的技能,首先完成了产品化。而名古屋大学天野研讨室经过将某金属层用于缓冲层,完成了在Si(001)基板上的晶体成长。

  东芝快速推动实用化

  最近状况开端发生变化。由于美国普瑞光电公司开发出了能减轻GaN晶体与Si基板的不匹配问题的技能,东芝选用该技能快速推动了GaN on Si技能的实用化。

  东芝与普瑞光电于2011年打开协作。2012年12月开端以月产1000万个的规划一起量产选用8英寸(200mm)硅晶圆的白色LED封装。运用石川县加贺东芝电子公司的IGBT等Si制功率半导体的部分出产线来出产GaN on Si。

  2013年4月,东芝收买了普瑞光电的LED开发部分。2014年3月发布了第二款产品。ag88环亚娱乐。还方案2015年4月之前推出第三款~第五款产品。东芝分立半导体事务部事务部长助理福冈和雄介绍说,咱们在LED芯片的开发方面起步较晚。出战市场需要兵器,咱们的兵器就是GaN on Si。

  普瑞光电开发的减轻Si基板与GaN晶体间不匹配问题的缓冲层技能十分优异注1)。福冈表明,也考虑过自主开发,不过本着花钱买时刻的准则,终究收买了普瑞光电。

  东芝还在快速进步LED的发光功率等功能。2012年12月推出的首款产品,发光功率在施加350mA电流时为112lm/W,而2014年3月进步到了135lm/W。别的,还方案使2014年10月推出的第四款产品到达170lm/W,使2015年4月推出的产品到达190lm/W。如果能完成,那么只用一年半就完成了以往的白色LED技能用5年多时刻进步的功能。